德思特脉冲发生器 NVM 测试解决方案

专为非易失性存储器测试设计的高性能脉冲发生器,

解决PCM、ReRAM、FeRAM等新型存储技术的测试挑战

方案背景

随着大数据、人工智能和物联网技术的快速发展,非易失性存储器(NVM)作为信息存储的核心部件,其性能要求日益提高。从相变存储器(PCM)到阻变存储器(ReRAM)、铁电存储器(FeRAM)等新型存储技术,都对测试设备提出了前所未有的挑战。

在NVM性能测试中,脉冲发生器是获取三个核心参数的关键实验仪器——最小有效脉冲参数(幅值、宽度)与器件切换最小脉冲宽度。这些参数对任何NVM芯片都至关重要,但传统测试设备面临诸多技术瓶颈

脉冲发生器在NVM测试中的核心价值

德思特TS-PG1000系列脉冲发生器为NVM测试提供了完整、精准、高效的解决方案,不仅解决了当前测试技术面临的瓶颈问题,更为未来存储器技术的发展奠定了坚实的测试基础。

PCM测试原理

以PCM相变存储器测试为例,展现其技术优势。PCM存储单元基于钙钛矿材料从非晶相到晶体相的变化。材料处于非晶相时电阻较高,处于晶体相时电阻较低。对位进行编程或擦除时,需要改变材料相位:大而低的电压脉冲可将材料从非晶态变为晶体态(SET操作),短而高的电压脉冲可将材料从晶体态变为非晶态(RESET操作)。

PCM测试原理图

PCM相变存储器基于材料相变实现数据存储,需要精确的脉冲控制

德思特TS-PG1000核心技术特点

高压短脉冲能力

支持5Vpp输出,脉冲宽度可短至<300ps,最高800MHz脉冲频率,满足PCM快速相变(SET/RESET)的严苛要求,解决传统信号源幅值不足、脉冲过长的问题。

精准直流偏移功能

±2.5V直流偏移范围,可补偿测试系统中的接地噪声或器件偏压,支持生成非对称脉冲(如+3V/-1V),优化ReRAM等器件的导电细丝形成与断裂过程。

超快边沿时间技术

70ps超快边沿时间,避免因边沿缓慢导致PCM未完全相变,显著降低过渡期能耗,抑制热扩散和相邻单元干扰,提升信号完整性。

多脉冲序列支持

支持复杂的PUND四脉冲序列,满足FeRAM测试需求,可编程脉冲上扫/下扫廓线,适应ReRAM器件特性表征。

德思特脉冲发生器解决测试中的关键问题

精准的脉冲参数控制

问题:传统设备无法同时满足高压输出与窄脉宽要求。

解决方案:TS-PG1000提供5Vpp输出结合300ps最小脉宽,完美匹配PCM SET/RESET操作需求。

技术优势:10ps脉宽分辨率,确保脉冲宽度的精确控制。

信号完整性与保真度

问题:过冲与振铃现象影响测试准确性。

解决方案:70ps超快边沿结合<5%过冲控制,确保波形纯净无畸变。

技术优势:<1mVrms低噪声输出,保障小电流测量的准确性。

复杂测试序列支持

问题:多脉冲序列测试需求难以满足。

解决方案:4通道±10ps同步技术,支持PUND等复杂脉冲序列。

技术优势:灵活的脉冲编程能力,适应不同类型NVM测试需求。

小电流测量同步性

问题:µA级电流测量与脉冲施加的同步难题。

解决方案:精密触发同步机制,确保IV测量与脉冲施加的时序一致性。

技术优势:多通道同步抖动<±10ps,保证测试数据的准确性。

方案价值

测试精度突破

实现NVM器件最小有效脉冲参数的精确测量,提供可靠的器件切换最小脉冲宽度数据,为存储器设计和工艺优化提供准确实验依据。

测试效率提升

多通道同步测试能力,大幅缩短测试时间,自动化测试序列减少人工干预,支持批量测试提高研发效率。

研发周期缩短

快速准确的测试数据加速产品开发进程,早期发现问题减少后期修改成本,提升产品上市速度增强市场竞争力。

质量控制保障

提供可靠的性能评估标准,确保产品一致性和可靠性,降低产品失效风险。


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产品详情

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